目前，国内外对于igbt器件失效的研究众多，主要从两方面入手，一方面是考虑器件自身的工作循环，另一方面是考虑器件的实际工况环境，研究表明IGBT失效是由内部工作循环及外部工况同时作用导致的，其失效机理复杂，失效模式主要分为封装类失效及芯片类失效，如图2-2所示。